俄罗斯放狠话：自研7nm光刻机将于2028年问世！

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俄罗斯放狠话：自研7nm光刻机将于2028年问世！

自2022年初俄乌冲突爆发之后，以苹果、英特尔、AMD等为代表的西方科技巨头纷纷暂停了自己在俄罗斯当地的相关业务，几乎所有先进晶圆制造商都停止了与俄罗斯实体的合作，就连ARM也无法将他们的技术授权给俄罗斯的芯片设计师。

为了解决技术被“卡脖子”的问题，俄罗斯科学院下诺夫哥罗德应用物理研究所（IPF RAS）正在紧锣密鼓地研发俄罗斯首套半导体光刻设备，并对外宣称“这套自行研发的光刻机将于2028年问世，不仅能够生产出7nm芯片，还可以击败ASML同类产品”。

根据俄罗斯下诺夫哥罗德策略发展机构的一份公文显示，该计划将在6年内分为三个阶段实现：

• 第一阶段：首先要在2024年开发一台alpha机器，验证系统的全面可靠性。这一阶段的重点不在于其工作或解决的高速性，而在于所有系统的全面性。
  
  

• 第二阶段：到了2026年，将利用Beta版本取代alpha技术，届时所有系统都将得到改进和优化，同时分辨率也将得到提升，生产力也将随之提高，许多操作都将实现机械自动化。这一阶段的重点是，要将其集成到实际的技术流程中，并通过“拉起”适合其他生产阶段的设备对其进行调试。
  
  

• 第三阶段：到了2028年，将完成所有准备工作，并实现原型机生产，届时将为光刻机带来更强的光源、改进的定位和馈送系统，并使得这套光刻系统能够快速准确地工作。
  
  

▲俄罗斯下诺夫哥罗德策略发展机构发布的公文

据21ic家了解，俄罗斯此前宣布过一项国家计划，那就是希望通过“逆向工程”培养本土化半导体人才，力争在2030年突破28nm芯片制造技术。

然而，要想实现这个目标并不容易，因为俄罗斯目前只能大量生产90nm芯片，小规模生产65nm芯片，暂时还无法做到更先进的工艺。所以，在芯片制造方面还不敢奢望更为先进的技术。

可是，IPF RAS却认为这项计划过于保守，并对外放出豪言“6年内就能突破7nm技术节点”。

要知道，从28nm到7nm工艺，中间间隔着至少三代以上的差距，哪怕像荷兰光刻机巨头ASML和应用材料等公司，按照正常情况下的发展，也要花费十年甚至几十年的时间才能完成。

所以，该消息一经发布，便立刻在全球网络上引发了巨大的热议。

业界普遍认为，IPF RAS的想法太过天真，这是一个无法完成的任务，要想在6年内仅凭自己的力量研发出可以媲美ASML十年积淀的光刻技术，实在是有点难以令人相信！

另外，从各大媒体的表态来看，似乎也更愿意相信这是IPF RAS的一种“美好愿望”，最终能否实现还很难讲，因为光刻机领域需要的不仅仅是金钱与时间的投入，而晶圆厂也并非仅靠光刻机就能生产出芯片，还需要许多外围设备，而俄罗斯目前并不满足独立生产这些设备的条件。

不过，也有网友对其表示钦佩，认为俄罗斯是公认的“战斗民族”，一定会说到做到。

▲部分网友评论截图
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