I.MX RT设计应用案例说明

鸣涧

I.MX RT设计应用案例说明







Case 1， ADC 采样.

--在ADC 采用时会出现如上波形 中间出现缺口（不连续），出现波动人不是ADC模块问题. 是因为如果PIN脚设置成ADC功能，需要把相应PIN脚的SW_PAD_CTL_PAD_TEST_MODE SW PAD Control Register 寄存器的PKE位设置为0（Dsiable 0，关掉内部上拉）（默认为1，即使能上拉）.

   即大部分GPIO引脚是默认上拉.

--对于要求更高ADC精度的情况，可以VDDA_IN和ADDA_ADC分开供电.

Case 2， 24M 外置晶振.

--外部振荡器波形幅值主要电源电源域，要保证外部24M晶振的电源域不要超过NVCC_PLL（1.1V）.

--对晶振的要求：

   典型80ESR晶体额定最大驱动能力为250μW可以接受.

   典型50ESR晶体额定最大驱动能力为200μW可以接受.

--测量晶振波形时，示波器探头选用寄生电容小的探头（1pf），探头寄生电容太大会影响波形.

--一定要加2.4M的偏置电阻，有利于启动.

CASE 3, OPENSDA.



--EVM板上OPENSDA仅支持带XIP头文件的BIN文件，不支持不带XIP头（只有应用程序，没有启动配置信息）的Raw Image.


Case 4, Boot Mode.

-- 通过BOOT_CFG1[7：4]来选择启动设备.

-- BOOT_CFG1[7：4] 都为0时从Q-Flash启动，如果板子没有启动了，再烧写代码也可能没有反应，这时候可以拨BOOT MODE到serial downloader模式，通过USB再来烧写代码.

--BOOT MODE， BOOT CONFIG PIN脚需要可靠的上拉或下拉.

Case 5， ESD性能.

--I.MX RT 芯片 ESD 参数：

人体放电模型 （Human-Body Model， HBM） 1000V

充电器件模型（Charge Device Model，CDM）500V

-- RT1050EVKB通过了+/-8KV系统级ESD测试.

--特别说明： 重要的PIN脚需要做特别的保护.

a， POR PIN，需要外加一个10K的上拉电阻和旁路电容，形成RC滤波，抗干扰.

b，USB 信号线， USB热插拔的时候可能产生10多V的电压，需要在USB DP/DN信号线上加TVS二极管做保护.

   c, DCDC_LP, VDD_SNVS

使这些电源走线不要靠近PCB板的边沿，尽量用地把他们包围.