巨头纷纷入局SiC

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巨头纷纷入局SiC

就在不久前，富士康宣布以9000多万美元收购旺宏旗下的一家200mm晶圆制造厂，富士康董事长刘扬伟表示，收购完成后，“鸿海将用来开发与生产第三代半导体，特别是电动车使用的碳化硅（SiC）功率元件，这将是我们在3+3策略中，整合EV与半导体发展的重要里程碑。”

数据显示，目前全球SiC硅晶圆总年产能约在40-60万片，而且同时期的硅晶圆已经由200mm向300mm进发，但碳化硅晶圆的主流尺寸还是150mm，每片晶圆能制造的芯片数量不大，远不能满足下游需求。

当前以SiC为代表的第三代半导体现在正从150mm转至200mm工艺，富士康布局时间点上恰逢其时。除了富士康，传统的SiC大厂们也早已行动起来：

国内外主流SiC大厂扩产计划
厂商	事件
科锐	2019年宣布计划2019-2024年投资7.2亿美元，将SiC材料及晶圆产能扩充30倍。包括建造一座车规级200mm功率及射频晶圆工厂，以及扩产超级材料工厂。计划2024年200mm SiC晶圆工厂规划达产； 2020年宣布未来5年投资10亿美元，扩展SiC衬底生产线
罗姆	2021年1月其筑后工厂新厂房竣工，预计2022年投产，以满足电动车等用途SiC电源控制芯片产能。计划到2025年投资850亿日元，预计届时产能将提升16倍
英飞凌	与GT Advanced Technologies在2020年签订SiC晶棒约5年期供货合同；与昭和电工在2021年先后签订SiC晶棒2年期供货合同
高意集团（Ⅱ-Ⅵ）	2020年宣布计划将150mm SiC材料的产能扩大5-10倍，同时扩大差异化200mm材料技术的批量生产，以满足未来5年的预期需求
比亚迪	此前宣布将在2023年全方位采用SiC替代，预计在2025年全面用SiC取代硅基IGBT
博世集团	2020年开始在德国生产专门用于电动汽车的新一代SiC芯片
斯达半导	今年3月宣布，拟非公开发行股票募资不超过35亿元，其中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目
天科合达	正在新建一条400台/套SiC单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的SiC衬底生产线。2020年8月开工，计划2022年初投产
山东天岳	子公司上海天岳将于2021年7月下旬开工建设临港SiC半导体材料项目，预计投产日期为2022年，达产日期为2026年6月
露笑科技	其合肥SiC工厂一期预计在今年9月实现150mm SiC衬底片的小批量试产
三安光电	湖南三安半导体基地一期项目今年6月正式投产，可与产3万片150mm SiC晶圆

据不完全统计，未来2-5年内碳化硅产能仍将继续增加（数据自《科创板日报》、芯思想）

虽然在SiC市场上，IDM（集成器件制造商）占据主导地位，SiC代工公司也不甘落后，希望能够复制成功的硅代工厂的模式。德国X-Fab、英国Clas-SiC（150mm）、韩国YES POWERTECHNIX（YPT）以及中国台湾的汉磊（Episil）、厦门三安（SANAN）、芜湖启迪（TUS SEMI）都希望从中分到一杯羹。