详细解读MOS管各项参数

2020-12-6 23:03| 发布者: admin| 查看: 36| 评论: 0|原作者: 鸣涧_GC96O

摘要: MOS管作为半导体领域基础的器件之一，无论是在IC设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛，那么你对MOS管的各项参数，有了解多少呢？极限参数最大极限值是指超出该工作范围MOS管就可能损坏,应用设计中，工作 ...

MOS管作为半导体领域基础的器件之一，无论是在IC设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛，那么你对MOS管的各项参数，有了解多少呢？

极限参数

最大极限值是指超出该工作范围MOS管就可能损坏,应用设计中，工作条件绝不可以超过这些参数。

冠华伟业为你解读MOS管各项参数！

VDSS最大漏源承受电压

在特定的温度和栅源极短接情况下，流过的漏极电流达到一个特定值（急剧猛增）时的漏源电压。这种情况下的漏源电压也称为雪崩击穿电压。VDSS属于正温度系数，-50°C时，VDSS大约是25°C时的90%。由于正常生产中通常会留有预量，MOSFET的雪崩击穿电压总是大于标称的额定电压。

冠华伟业温馨提示：为保证产品可靠性，在最坏的工作条件下，建议工作电压不要超过额定值的80~90%。

VGSS最大栅源承受电压

是指栅源间反向电流开始急剧增加时的VGS值。超过此电压值将会使栅氧化层发生介质击穿，这是一种破坏性的不可逆击穿。

ID最大漏源电流

是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。MOSFET的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。

IDM最大脉冲漏源电流

反映了器件可以处理的脉冲电流的低，此参数会随结温度的上升而有所减小。若是该参数过小,系统在做OCP测试时,有被电流击穿的风险。

PD最大耗散功率

是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

TJ,TSTG工作温度和存储环境温度的范围

这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。

静态参数

MOS管测试条件一般是在2.5V、4.5V、10V。

V(BR)DSS漏源击穿电压

是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

V(BR)DSS/△Tj：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃

RDS(on）导通电阻

在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

VGS(th)开启电压（阀值电压）

当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压，此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

IDSS饱和漏源电流

栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。一般在微安级。

IGSS栅源驱动电流或反向电流

由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS一般在纳安级。

动态参数

gfs：跨导

是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度

Qg：栅极总充电电量

Qgs：栅源充电电量

Qgd：栅漏充电电量

MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。

Ciss：输入电容

将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容。Ciss=CGD+CGS。对器件的开启和关断延时有直接的影响。

Coss：输出电容

将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容。Coss=CDS+CGD。

Crss：反向传输电容

在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容Crss=CGD。对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数。

其他参数

Td(on)：导通延迟时间

从有输入电压上升到10%开始到VDS（Vout）下降到其幅值90%的时间(如下图示)。

Tr：上升时间

输出电压VDS（Vout）从90%下降到其幅值10%的时间。

Td(off)：关断延迟时间

输入电压下降到90%开始到VDS（Vout）上升到其关断电压时10%的时间

Tf：下降时间

输出电压VDS（Vout）从10%上升到其幅值90%的时间，参照下图所示。

雪崩击穿参数

EAS：单次脉冲雪崩击穿能量，说明MOSFET所能承受的最大雪崩击穿能量

IAR：雪崩电流

EAR：重复雪崩击穿能量

体内二极管参数

IS：连续最大续流电流（从源极）

ISM：脉冲最大续流电流（从源极）

VSD：正向导通压降

Trr：反向恢复时间

Qrr：反向恢复充电电量

Ton：正向导通时间（基本可以忽略不计）