Qorvo®推出GaN-on-SiC晶体管关键型IFF和航空电子应用的信号完...

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Qorvo®推出GaN-on-SiC晶体管
关键型IFF和航空电子应用的信号完整性和范围得到大幅提升

美国北卡罗来纳州格林斯巴勒市 - 2018年3月13日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo® Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC) RF晶体管。QPD1025在65 V下运行1.8KW，提供出色的信号完整性和更大的范围，这对L频段航空电子和敌我识别应用来说至关重要。

Qorvo高功率解决方案部总经理Roger Hall表示，“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案，能够大幅节省客户的时间和成本。与LDMOS相比，QPD1025的漏极效率有了显著提升，效率高出近15个百分点，这对IFF和航空电子应用来说都非常重要。”

Qorvo提供业内种类最多、最具创意的GaN-on-SiC产品组合。Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始批量生产。有关Qorvo的GaN-on-SiC产品优势的更多信息，请参见这里和观看视频。

QPD1025的工程样品现已上市。

Engineering samples of the QPD1025 are available now.
QPD1025 1800 W、65 V、GaN RF输入匹配晶体管
频率范围: 1.0至1.1 GHz
线性增益：22.5 dB（1.0 GHz负载牵引时）
PAE3dB典型值：77.2%（1.0 GHz负载牵引时）
支持CW和脉冲模式
封装：4引脚NI-1230（无耳式）



关于Qorvo

Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、 以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 服务于全球市场，包括先进的无线设备、 有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势，以推进 5 G 网络、 云计算、 物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、 地点和事物的全球互联。访问 www.qorvo.com 了解 Qorvo如何创造美好的互联世界。

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