Wolfspeed扩展AEC-Q101车规级SiC MOSFET，推出650V E3M系列产品

sunsili

Wolfspeed扩展AEC-Q101车规级SiC MOSFET，推出650V E3M系列产品

快速充电、5G、可再生能源和储能、航空航天等众多应用。

Wolfspeed 扩展 AEC-Q101 车规级 SiC MOSFET推出 650V E3M 系列产品

以下视频来源于

WOLFSPEED

，时长00:20

电动汽车（EV）市场预期在未来十年的复合增长率 CAGR 将高达 25% [1] ，这一快速增长由环保需求及政府支持推动，并将由能满足高效率及高功率密度要求的碳化硅（SiC）器件技术实现。

车载充电机（OBC）是当今 EV 关键电力电子系统之一，由 AC-DC 和 DC-DC 功率级组成。当今主流型号里，6.6 kW 单向车载充电机凭借 400 V 电池系统在 EV 中备受青睐。然而，双向车载充电机的趋势与日俱增，可支持新兴的“车网互动”（V2G）服务。 [2]
Wolfspeed 新款车规级 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列帮助设计人员满足 EV 车载充电机应用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技术，E3M0060065D 与 E3M0060065K（图 1）的特色为高温导通电阻低、可高速开关且电容小、体二极管反向恢复特性好、最大结温（Tj）高达 175° C。

重要的是，这些器件通过 AEC-Q101 (Rev. E) 认证完全符合车规级标准，并可以满足生产部件批准程序（Production Part Approval Process，PPAP）。PPAP 说明 Wolfspeed 充分理解设计人员的所有规格要求，并可实现优异的一致性，使得设计人员可对器件生产过程保持充分信心。

▲ 图 1：E3M0060065D 与 E3M0060065D为无卤素、RoHS 合规器件，满足 AEC-Q101 车规级标准并可以满足 PPAP
与市场上现有的 650V SiC MOSFET 相比，Wolfspeed E3M 650V SiC MOSFET 技术能让系统因损耗更低而在运行时温度更低，从而在终端应用中显著提高效率（图 2）。更低的损耗同时使得器件温度下降，可降低系统级热管理成本并提高系统级功率密度。

▲ 图 2：由于 Wolfspeed 器件可提供更高效率和更低损耗，这些器件运行时的温度明显低于友商 SiC MOSFET
      #1      
为您的设计选择封装
Wolfspeed 新款 E-系列 650V 60 mΩ SiC MOSFET 具有两种不同的封装。E3M0060065D 为三引脚 TO-247-3L 封装，E3M0060065K 为四引脚 TO-247-4L 封装（带开尔文源极引脚）。开尔文源极连接可消除源极电感对驱动的影响，使开关损耗更低速度更快。
开尔文源极让设计者能够尽可能地利用 SiC 器件所具有的开关特性。相同裸片采用不同的封装，因此可提供不同的性能。例如，E3M0060065D 在 IDS 为 20 A 时总开关损耗 (ETOTAL) 约 300 μJ；E3M0060065K 在相同情况下的 ETOTAL 则接近 62 μJ（图 3）。
▲ 图 3：VDD = 400V 时，开关损耗与漏极电流对比图
      #2      EV 车载充电机应用中的 E-系列 (E3M) 650V 60 mΩ SiC MOSFET

基于 SiC MOSFET 的典型双向设计如图 4 所示，其包括用以 AC-DC 转换图腾柱 PFC 和双向 CLLC 谐振 DC-DC 变换器。通过采用Wolfspeed E-系列 (E3M) 650V SiC MOSFET，可以提升这两个变化器的性能。

▲ 图 4：SiC 高开关频率能力（底部）让设计人员可节省无源器件成本，而其高效率更可降低热管理花费（右）
与全硅双向 EV 车载充电机设计相比，Wolfspeed E-系列 (E3M) 650V 60 mΩ SiC MOSFET 设计能显著降低电容、磁性元件等无源器件成本，以及热管理和外壳成本。这些成本节省主要来源于在实现更高频率的同时提高开关频率（Fs）的能力。例如，此 AC-DC 转换环节开关频率为 67 kHz。而 DC-DC 开关频率可从全硅的 80 - 120 kHz 典型频率范围提高到基于 SiC 解决方案的 150 - 300 kHz。

      #3      

获取 Wolfspeed design-in 支持

Wolfspeed 提供多个参考设计与评估套件，让设计更加轻松。6.6 kW 双向车载充电机参考设计（CRD-06600FF065N-K）可快速开启项目并帮助 design-in 此新款 E3M 650V SiC MOFET。

有关 E3M0060065D 与 E3M0060065K 更多信息，可在 E-系列界面获取，其提供 Wolfspeed 的车规级、符合 PPAP、耐潮湿 MOSFET 系列产品信息，该系列具有业内极为优异的开关损耗和品质因数。

参考资料：

• IDTechEx, Power Electronics for Electric Vehicles 2022-2032, (https://www.idtechex.com/)
• Sai Sudharshan Ravi, et al., January 2022, Utilization of Electric Vehicles for Vehicle-to-Grid Services: Progress and Perspectives (https://mdpi-res.com/d_attachmen ... ergies-15-00589.pdf)
  
  

英文原稿，敬请访问：

https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/article/650-v-silicon-carbide-mosfets-extend-wolfspeeds-aec-q101-qualified-e3m-range/

该篇文章同时发布在《化合物半导体》杂志 2022 年 10/11 月刊。

| 延伸阅读 |

• Wolfspeed 推出首款车规级 SiC 功率模块 EAB450M12XM3
• 使用 SiC 进行双向车载充电机设计
• 设计基于 SiC 的电动汽车直流快速充电机
• 捷豹路虎与 Wolfspeed 合作，为下一代电动汽车引入 SiC 半导体技术
• 通用汽车与 Wolfspeed 达成战略供应商协议，在通用汽车未来电动汽车计划中采用 SiC
• Lucid Motors 与 Wolfspeed 强强合作，在屡获殊荣的 Lucid Air 车型中采用 SiC 半导体
• Rhombus 采用 Wolfspeed SiC 器件，实现更快电动汽车充电速度
• Wolfspeed SiC 助力博格华纳下一代直流快速充电桩系统开发
  
  

以下视频来源于

WOLFSPEED

，时长01:30

▲ 企业宣传视频：Wolfspeed SiC 助力梦想者改变世界！

关于 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed（美国纽约证券交易所上市代码: WOLF）引领碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）技术在全球市场的采用。我们为高效能源节约和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed 产品家族包括了 SiC 材料、功率开关器件、射频器件，针对电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等多种应用。我们通过勤勉工作、合作以及对于创新的热情，开启更多可能。了解更多详情，敬请访问 www.wolfspeed.com。