【电子基础】芯科普 | 一文了解Flash 和 eMMC、UFS的区别 - 谷动谷力

Flash 全名为Flash Memory，我们平时一般叫“闪存”，是存储芯片的一种。它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据的优势，使数据不会因为断电而丢失。

根据硬件上存储原理的不同，Flash Memory 主要可以分为 Nor Flash 和 Nand Flash 两类。鉴于 Nor Flash 读写速度慢，成本高等特性，Nor Flash 主要应用于小容量、内容更新少的场景，例如 PC 主板 BIOS（Basic Input Output System）、路由器系统存储等。近年来，因5G、IoT、AMOLED和智能汽车等下游市场的快速发展，NOR Flash的应用也更为广泛。

Nand Flash根据每个存储单元内存储比特个数的不同，主要分为 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、 TLC（Triple-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）四大类。其中，在一个存储单元中，SLC 可以存储1个比特，MLC 可以存储2个比特，TLC可以存储3个比特，QLC则可以存储4个比特。NAND Flash 的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但是成本会更低。

相比于 Nor Flash，Nand Flash 写入性能好，大容量下成本低。目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 Nand Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 Nand Flash。

eMMC相当于Nand Flash+主控IC ，它的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，提供标准接口并管理闪存。

eMMC和Nand flash 之间的区别，主要是：在组成结构上，eMMC存储芯片简化了存储器的设计，将Nand Flash芯片和控制芯片以MCP技术封装在一起，省去零组件耗用电路板的面积，同时也让手机厂商或是计算机厂商在设计新产品时的便利性大大提高。而Nand Flash仅仅只是一块存储设备，若要进行数据传输的话，只能通过主机端的控制器来进行操作。

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UFS最新标准是UFS4.0，它是eMMC的进阶版，最大带宽可以达到23.2Gbps，读取速度高达4200MBps，写入速度高达2800MBps。目前，大多数5G手机的机型都用上了UFS 储存方案。

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