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标题: 了解SiC器件的命名规则 [打印本页]

作者: 谷谷小师妹 时间: 2023-1-8 22:03
标题: 了解SiC器件的命名规则
了解SiC器件的命名规则

大家好，众所周知，了解清楚SiC器件的命名规则，对快速分辨型号差异有很大的帮助，本文重点介绍一下SiC器件的命名详细规则。

图1 SiC的分立器件的命名规则

如图1所示，对于分立SiC器件来说，MSC前缀代表microchip产品，接下来的三位数字代表SiC二极管电流能力或者SiC MOSFET的导通电阻，接着三位英文字母S代表是碳化硅器件，D代表是SiC 二极管，而M代表是SiC mosfet，图示中的y代表是产品的版本或者代数。接下来三位数字代表其耐压，如070代表700V耐压。

值得一提的是最后的字母部分，这代表其封装参数，如B为TO-247-3L,B4代表TO-247-4L,K代表TO-220,D/S代表Die产品。S代表D3PAK,J代表SOT-227等。

图2 SiC Power Module的型号命名说明

SiC模块的命名稍微复杂一些，如图2中可以详细参考，此处不详述。

来源：电源漫谈

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