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标题: 巨头纷纷入局SiC [打印本页]

作者: 鸣涧_GC96O    时间: 2021-9-1 15:38
标题: 巨头纷纷入局SiC
巨头纷纷入局SiC



就在不久前,富士康宣布以9000多万美元收购旺宏旗下的一家200mm晶圆制造厂,富士康董事长刘扬伟表示,收购完成后,“鸿海将用来开发与生产第三代半导体,特别是电动车使用的碳化硅(SiC)功率元件,这将是我们在3+3策略中,整合EV与半导体发展的重要里程碑。”

数据显示,目前全球SiC硅晶圆总年产能约在40-60万片,而且同时期的硅晶圆已经由200mm向300mm进发,但碳化硅晶圆的主流尺寸还是150mm,每片晶圆能制造的芯片数量不大,远不能满足下游需求。

当前以SiC为代表的第三代半导体现在正从150mm转至200mm工艺,富士康布局时间点上恰逢其时。除了富士康,传统的SiC大厂们也早已行动起来:

国内外主流SiC大厂扩产计划

厂商

事件

科锐

2019年宣布计划2019-2024年投资7.2亿美元,将SiC材料及晶圆产能扩充30倍。包括建造一座车规级200mm功率及射频晶圆工厂,以及扩产超级材料工厂。计划2024年200mm SiC晶圆工厂规划达产;

2020年宣布未来5年投资10亿美元,扩展SiC衬底生产线

罗姆

2021年1月其筑后工厂新厂房竣工,预计2022年投产,以满足电动车等用途SiC电源控制芯片产能。计划到2025年投资850亿日元,预计届时产能将提升16倍

英飞凌

与GT Advanced Technologies在2020年签订SiC晶棒约5年期供货合同;与昭和电工在2021年先后签订SiC晶棒2年期供货合同

高意集团(Ⅱ-Ⅵ)

2020年宣布计划将150mm SiC材料的产能扩大5-10倍,同时扩大差异化200mm材料技术的批量生产,以满足未来5年的预期需求

比亚迪

此前宣布将在2023年全方位采用SiC替代,预计在2025年全面用SiC取代硅基IGBT

博世集团

2020年开始在德国生产专门用于电动汽车的新一代SiC芯片

斯达半导

今年3月宣布,拟非公开发行股票募资不超过35亿元,其中20亿元用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目

天科合达

正在新建一条400台/套SiC单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的SiC衬底生产线。2020年8月开工,计划2022年初投产

山东天岳

子公司上海天岳将于2021年7月下旬开工建设临港SiC半导体材料项目,预计投产日期为2022年,达产日期为2026年6月

露笑科技

其合肥SiC工厂一期预计在今年9月实现150mm SiC衬底片的小批量试产

三安光电

湖南三安半导体基地一期项目今年6月正式投产,可与产3万片150mm SiC晶圆

据不完全统计,未来2-5年内碳化硅产能仍将继续增加(数据自《科创板日报》、芯思想)

虽然在SiC市场上,IDM(集成器件制造商)占据主导地位,SiC代工公司也不甘落后,希望能够复制成功的硅代工厂的模式。德国X-Fab、英国Clas-SiC(150mm)、韩国YES POWERTECHNIX(YPT)以及中国台湾的汉磊(Episil)、厦门三安(SANAN)、芜湖启迪(TUS SEMI)都希望从中分到一杯羹。







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