三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用 ...

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三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用 满足AI需求

ETNews 4月10日讯，三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用，采用了垂直布线扇出技术VFO，该技术可提供更多的IO数据引脚、提高移动设备的内存带宽。

SK海力士表示VFO技术将FOWLP和DRAM堆叠两项技术结合，通过垂直连接大幅缩短了电信号在多层DRAM间的传输路径，同时能效也有提升。报道指出，采用VFO技术的产品有望成为继HBM后的下一个AI内存热点，三星计划于明年下半年实现LLW DRAM的量产；而SK海力士相关产品目前已在量产准备阶段。