谷动谷力

 找回密码
 立即注册

【避坑指南】电容耐压降额裕量不合理导致电容频繁被击穿

查看数: 1082 | 评论数: 0 | 收藏 0
关灯 | 提示:支持键盘翻页<-左 右->
    组图打开中,请稍候......
发布时间: 2023-10-27 19:47

正文摘要:

【避坑指南】电容耐压降额裕量不合理导致电容频繁被击穿 MLCC虽然是比较简单的,但是,也是失效率相对较高的一种器件.失效率高:一方面是MLCC结构固有的可靠性问题;另外还有选型问题以及应用问题。由于电容算是 ...

回复

QQ|Archiver|手机版|深圳市光明谷科技有限公司|光明谷商城|Sunshine Silicon Corpporation ( 粤ICP备14060730号|Sitemap

GMT+8, 2024-11-24 18:51 , Processed in 0.233314 second(s), 38 queries .

Powered by Discuz! X3.2 Licensed

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表