技术 | 氮化镓（GaN）与硅（Si）的MOS开关比较

正文摘要:

技术 | 氮化镓（GaN）与硅（Si）的MOS开关比较 由于宽能隙功率元件的优异切换性能，近几年已经渐渐被商用化。常见的问题，如：究竟宽能隙元件对于系统的功率密度与效率的提升帮助有多少？原先所使用的以硅为基础的 ...