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标题: 【应用方案】基于 InnoGaN INN650TA030AH & INN650TA070AH 设计的2KW P... [打印本页]

作者: sunsili    时间: 2023-8-10 19:49
标题: 【应用方案】基于 InnoGaN INN650TA030AH & INN650TA070AH 设计的2KW P...
【应用方案】基于 InnoGaN INN650TA030AH & INN650TA070AH 设计的2KW PSU 服务器电源

消费电子仅是GaN规模化应用的第一站,近年来,工业领域对GaN的需求也在逐步攀升。根据AKCP机构测算,2023年网络设备、通信设备以及数据中心等的能耗将占全球总用电量的21%左右,成为了“碳中和”最难啃的骨头。其中,数据的需求将大幅度推高数据中心的建设速度,2023年,数据中心的能耗将占全球总用电量的8%左右。

因此,更高效率、更高功率密度的解决方案成为数据中心供电系统的迫切需求,而高频高效的氮化镓材料在服务器电源应用中显然具备绝对优势。

此前,英诺赛科在多个展会上推出的数据中心全链路解决方案中,就包含了 2KW 12V PSU 服务器电源方案,该方案完美符合 80 Plus 钛金级能效,峰值效率高达96.5%,目标应用包括数据中心电源、通信电源和 LED 照明设备电源等能耗较大的系统,是降耗增效的关键。

通过效率测试可以看出,在输入电压 230Vac/264Vac 的条件下,英诺赛科 2KW PSU 方案的最高效率均达到 96.5%,能轻松满足 80 Plus 钛金级能效标准,为数据中心提供高效供电解决方案。

2KW PSU 方案采用 InnoGaN 650V 氮化镓芯片实现功率转换,其中,PFC 慢桥臂采用2颗INN650TA030AH(650V/30mΩ/Toll封装),PFC 快桥臂采用2颗INN650TA070AH(650V/70mΩ/Toll封装),LLC 桥臂采用4颗INN650D080BS(650V/80mΩ/DFN8*8封装)。

与 Si MOS 相比,InnoGaN 具备低 Qg,低Co(tr),无反向恢复损耗 Qrr 等特性。其中,InnoGaN 的 Qg 为同等 Ron 的 Si MOS 的1/10,低 Qg 意味着更快的开关速度,可以有效降低开关损耗和驱动损耗;无反向恢复电荷 Qrr,这一特性使 InnoGaN 成为 CCM 图腾柱无桥 PFC 的理想选择;在 LLC 软开关应用中,最小死区时间 Tdeadmin 正比于 Co(tr)*fsw*Lm,InnoGaN 的 Co(tr) 为同等 Ron 的 Si MOS 的1/8,更小的 Co(tr),意味着系统采用更小死区时间设计的同时,可实现更高的开关频率和更小的励磁电流设计,从而提升 LLC 的功率密度和系统效率。

英诺赛科2KW 12V PSU 方案不仅能够为数据中心链路降耗增效,在通信电源、LED 照明等应用中同样能够体现小体积、高效率的优势。
英诺赛科早已在数据中心领域进行产品布局,并在多场展会与研讨会上发布了数据中心全链路(从前端PSU电源到主板DC/DC模块,以及芯片的直接供电)解决方案。随着头部企业的引导和市场应用的深入,氮化镓的优越性能逐渐显现,将有望成为行业“标准”,实现数据中心电源的技术迭代。

►场景应用图

►产品实体图

►展示板照片

►方案方块图

►核心技术优势
1):高效率:在230Vac Vin下效率高达96.5%,符合 80Plus 钛金级能效标准
2):高功率密度:76W/in3
3):1U标准尺寸:185mmx 65mmx 36mm(PCBA)

►方案规格
1):效率:96.5%@230 Vac
(80 Plus 钛金级能效)
2):功率密度:76W/in^3
3):InnoGaN:
INN650TA070AH *2
INN650TA030AH *2
INN650D080BS *4





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