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标题: DRV8701外部 N 通道 MOSFET 的单路H 桥栅极驱动器 [打印本页]

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作者: 鸣涧_GC96O    时间: 2020-10-24 22:17
标题: DRV8701外部 N 通道 MOSFET 的单路H 桥栅极驱动器

Texas Instruments 的 DRV8701 是一款采用 4 个外部 N 通道 MOSFET 的单路 H 桥栅极驱动器，用于驱动 12 V 至 24 V 双向有刷直流电机。该器件可通过 PH/EN (DRV8701E) 或 PWM (DRV8701P) 接口轻松连接控制器电路。内置感测放大器能够实现可调电流控制。这款栅极驱动器内置有相应的电路，用于通过关断时间固定的 PWM 电流斩波技术来调节绕组电流。

DRV8701 采用 9.5V VGS 栅极驱动电压来驱动高压侧和低压侧 FET。所有外部 FET 的栅极驱动电流均可通过 IDRIVE 引脚上的单个外部电阻进行配置。该器件具有低功耗休眠模式，可关闭内部电路以实现很低的静态电流消耗。这种睡眠模式可通过将 nSLEEP 引脚置为低电平来设定。该器件内置许多保护功能，包括欠压锁定、电荷泵故障、过流关断、短路保护、前置驱动器故障以及过热保护。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。

特性

• 单通道 H 桥栅极驱动器
  • 驱动四个外部 N 沟道 MOSFET
  • 支持 100% PWM 占空比
    
• 6.5V 至 45V 工作电源电压范围
• 两个控制接口选择
  • PH/EN (DRV8701E)
  • PWM (DRV8701P)
    
• 可调节栅极驱动（5 级）
  • 6 mA 至 150 mA 拉电流
  • 12.5 mA 至 300 mA 灌电流
    
• 支持 1.8 V、3.3 V 和 5 V 逻辑输入
• 分流放大器 (20 V/V)
• 集成式 PWM 电流调节功能
  • 限制电机的浪涌电流
    
• 低功耗休眠模式 (9 µA)
• 利用两个 LDO 稳压器向外部元器件供电
  • AVDD：4.8 V、可达 30 mA 输出负载
  • DVDD：3.3 V、可达 30 mA 输出负载
    
• 小型封装和基底面
  • 24-pin VQFN (PowerPAD™)
  • 4.0 mm × 4.0 mm × 0.9 mm
    
• 保护功能：
  • VM 欠压锁定 (UVLO)
  • 电荷泵欠电压 (CPUV)
  • 过流保护 (OCP)
  • 前置驱动器故障 (PDF)
  • 热关断 (TSD)
  • 故障条件输出 (nFAULT)
    
  
  

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