详细解读MOS管各项参数
MOS管作为半导体领域基础的器件之一，无论是在IC设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛，那么你对MOS管的各项参数，有了解多少呢？极限参数
最大极限值是指超出该工作范围MOS管就可能损坏,应用设计中，工作条件绝不可以超过这些参数。
冠华伟业为你解读MOS管各项参数！
VDSS最大漏源承受电压
在特定的温度和栅源极短接情况下，流过的漏极电流达到一个特定值（急剧猛增）时的漏源电压。这种情况下的漏源电压也称为雪崩击穿电压。VDSS属于正温度系数，-50°C时，VDSS大约是25°C时的90%。由于正常生产中通常会留有预量，MOSFET的雪崩击穿电压总是大于标称的额定电压。
冠华伟业温馨提示：为保证产品可靠性，在最坏的工作条件下，建议工作电压不要超过额定值的80~90%。
VGSS最大栅源承受电压
是指栅源间反向电流开始急剧增加时的VGS值。超过此电压值将会使栅氧化层发生介质击穿，这是一种破坏性的不可逆击穿。
ID最大漏源电流
是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。MOSFET的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。
IDM最大脉冲漏源电流
反映了器件可以处理的脉冲电流的低，此参数会随结温度的上升而有所减小。若是该参数过小,系统在做OCP测试时,有被电流击穿的风险。
PD最大耗散功率
是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。
TJ,TSTG工作温度和存储环境温度的范围
这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。
静态参数
MOS管测试条件一般是在2.5V、4.5V、10V。
V(BR)DSS漏源击穿电压
是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。
V(BR)DSS/△Tj：漏源击穿电压的温度系数，一般为0.1V/℃
RDS(on）导通电阻
在特定的VGS（一般为10V）、结温及漏极电流的条件下，MOSFET导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了MOSFET导通时的消耗功率。此参数一般会随结温度的上升而有所增大。故应以此参数在最工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。
VGS(th)开启电压（阀值电压）
当外加栅极控制电压VGS超过VGS(th)时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压，此参数一般会随结温度的上升而有所降低。
IDSS饱和漏源电流
栅极电压VGS=0、VDS为一定值时的漏源电流。一般在微安级。
IGSS栅源驱动电流或反向电流
由于MOSFET输入阻抗很大，IGSS一般在纳安级。
动态参数
gfs：跨导
是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度
Qg：栅极总充电电量
Qgs：栅源充电电量
Qgd：栅漏充电电量
MOSFET是电压型驱动器件，驱动的过程就是栅极电压的建立过程，这是通过对栅源及栅漏之间的电容充电来实现的。
Ciss：输入电容
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容。Ciss=CGD+CGS。对器件的开启和关断延时有直接的影响。
Coss：输出电容
将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容。Coss=CDS+CGD。
Crss：反向传输电容
在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容Crss=CGD。对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数。
其他参数
Td(on)：导通延迟时间
从有输入电压上升到10%开始到VDS（Vout）下降到其幅值90%的时间(如下图示)。
Tr：上升时间
输出电压VDS（Vout）从90%下降到其幅值10%的时间。
Td(off)：关断延迟时间
输入电压下降到90%开始到VDS（Vout）上升到其关断电压时10%的时间
Tf：下降时间
输出电压VDS（Vout）从10%上升到其幅值90%的时间，参照下图所示。
雪崩击穿参数
EAS：单次脉冲雪崩击穿能量，说明MOSFET所能承受的最大雪崩击穿能量
IAR：雪崩电流
EAR：重复雪崩击穿能量
体内二极管参数
IS：连续最大续流电流（从源极）
ISM：脉冲最大续流电流（从源极）
VSD：正向导通压降
Trr：反向恢复时间
Qrr：反向恢复充电电量
Ton：正向导通时间（基本可以忽略不计）
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