鸣涧_GC96O 发表于 2020-10-24 22:17:18

DRV8701外部 N 通道 MOSFET 的单路H 桥栅极驱动器

Texas Instruments 的 DRV8701 是一款采用 4 个外部 N 通道 MOSFET 的单路 H 桥栅极驱动器,用于驱动 12 V 至 24 V 双向有刷直流电机。该器件可通过 PH/EN (DRV8701E) 或 PWM (DRV8701P) 接口轻松连接控制器电路。内置感测放大器能够实现可调电流控制。这款栅极驱动器内置有相应的电路,用于通过关断时间固定的 PWM 电流斩波技术来调节绕组电流。DRV8701 采用 9.5V VGS 栅极驱动电压来驱动高压侧和低压侧 FET。所有外部 FET 的栅极驱动电流均可通过 IDRIVE 引脚上的单个外部电阻进行配置。该器件具有低功耗休眠模式,可关闭内部电路以实现很低的静态电流消耗。这种睡眠模式可通过将 nSLEEP 引脚置为低电平来设定。该器件内置许多保护功能,包括欠压锁定、电荷泵故障、过流关断、短路保护、前置驱动器故障以及过热保护。故障情况通过 nFAULT 引脚指示。特性
[*]单通道 H 桥栅极驱动器
[*]驱动四个外部 N 沟道 MOSFET
[*]支持 100% PWM 占空比

[*]6.5V 至 45V 工作电源电压范围
[*]两个控制接口选择
[*]PH/EN (DRV8701E)
[*]PWM (DRV8701P)

[*]可调节栅极驱动(5 级)
[*]6 mA 至 150 mA 拉电流
[*]12.5 mA 至 300 mA 灌电流

[*]支持 1.8 V、3.3 V 和 5 V 逻辑输入
[*]分流放大器 (20 V/V)
[*]集成式 PWM 电流调节功能
[*]限制电机的浪涌电流

[*]低功耗休眠模式 (9 µA)
[*]利用两个 LDO 稳压器向外部元器件供电
[*]AVDD:4.8 V、可达 30 mA 输出负载
[*]DVDD:3.3 V、可达 30 mA 输出负载

[*]小型封装和基底面
[*]24-pin VQFN (PowerPAD™)
[*]4.0 mm × 4.0 mm × 0.9 mm

[*]保护功能:
[*]VM 欠压锁定 (UVLO)
[*]电荷泵欠电压 (CPUV)
[*]过流保护 (OCP)
[*]前置驱动器故障 (PDF)
[*]热关断 (TSD)
[*]故障条件输出 (nFAULT)


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